磁电存储器是一种新型的电子存储技术，其主要材料包括铁电材料、磁性材料和金属电极。
铁电材料具有特殊的电学、热学、光学和机械学性能，在外界电场作用下可以改变其内部的极性，因此能够实现非易失性存储功能。
磁性材料具有较强的磁化特性，通常采用铁磁体或反铁磁体作为磁极材料，能够实现磁化方向的控制，因此可以用于实现快速、高密度的存储。
磁电存储和HBM存储是两种不同的内存技术。磁电存储，也称为MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory），是一种利用磁性材料来存储数据的技术。它的优势在于速度快、耐用性强且不易失。然而，它的成本较高，容量也相对较小。
相比之下，HBM（High Bandwidth Memory）是一种高性能的RAM技术，它将多个DDR芯片堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）技术实现高速数据传输。HBM的优势在于其高带宽和低功耗，但成本也相对较高。
磁电存储的主要材料是铁电体材料，如钛酸锶钡（BST）和钛酸钡（BTO）。铁电体材料具有“铁电性”和“磁电性”，能够在电场、磁场或电磁场的作用下，实现电荷分离和极化，从而在存储单元中实现信息的存储和读取。与传统的存储技术相比，磁电存储具有快速响应、低能耗、长寿命等优点，被认为是一种很有应用前景的新型存储技术。